Mua 2N7002E-T1-E3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
2N7002E-T1-E3
- Số Phần:
- 2N7002E-T1-E3
- nhà chế tạo:
- Vishay / Siliconix
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 19798 Pieces
- Bảng dữliệu:
- 2N7002E-T1-E3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho 2N7002E-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2N7002E-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Tối đa): | ±20V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Loạt: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 350mW (Ta) |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vài cái tên khác: | 2N7002E-T1-E3-ND 2N7002E-T1-E3TR |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 12 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | 2N7002E-T1-E3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 21pF @ 5V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Mô tả mở rộng: | N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 60V |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 240mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho 2N7002E-T1-E3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | Tin nhắn của bạn |
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | Tin nhắn của bạn |
 |
2SK4124-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 20A | Tin nhắn của bạn |
|
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | Tin nhắn của bạn |
|
2N7002E | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | Tin nhắn của bạn |
|
2N7002K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | Tin nhắn của bạn |
 |
IRFR6215TRL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A DPAK | Tin nhắn của bạn |
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | Tin nhắn của bạn |
|
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | Tin nhắn của bạn |
 |
IPI80N06S2L11AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | Tin nhắn của bạn |
 |
STF3NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog