2SA1013-O,T6MIBF(J
Số Phần:
2SA1013-O,T6MIBF(J
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14950 Pieces
Bảng dữliệu:
2SA1013-O,T6MIBF(J.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SA1013-O,T6MIBF(J, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SA1013-O,T6MIBF(J qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SA1013-O,T6MIBF(J với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):160V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92L
Loạt:-
Power - Max:900mW
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Vài cái tên khác:2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2SA1013-O,T6MIBF(J
Tần số - Transition:50MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1A 50MHz 900mW Through Hole TO-92L
Sự miêu tả:TRANS PNP 1A 160V TO226-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 200mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận