2SA1162S-Y, LF(D
2SA1162S-Y, LF(D
Số Phần:
2SA1162S-Y, LF(D
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16920 Pieces
Bảng dữliệu:
2SA1162S-Y, LF(D.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SA1162S-Y, LF(D, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SA1162S-Y, LF(D qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SA1162S-Y, LF(D với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:S-Mini
Loạt:-
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:2SA1162-Y(T5L,F,T)
2SA1162-Y(TE85L,F)
2SA1162-Y(TE85LF)TR
2SA1162-Y(TE85LF)TR-ND
2SA1162-YTE85LF
2SA1162-YTR
2SA1162-YTR-ND
2SA1162S-Y LF(DTR
2SA1162SYLFD
2SA1162SYLFTR
2SA1162SYLFTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:125°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2SA1162S-Y, LF(D
Tần số - Transition:80MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini
Sự miêu tả:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận