2SA1313-Y,LF
2SA1313-Y,LF
Số Phần:
2SA1313-Y,LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13494 Pieces
Bảng dữliệu:
2SA1313-Y,LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SA1313-Y,LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SA1313-Y,LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SA1313-Y,LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:S-Mini
Loạt:-
Power - Max:200mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:2SA1313-Y(TE85L,F)
2SA1313-Y(TE85LF)
2SA1313-Y(TE85LF)-ND
2SA1313-Y(TE85LF)TR
2SA1313-Y(TE85LF)TR-ND
2SA1313-Y,LF(B
2SA1313-Y,LF(T
2SA1313-YLFTR
2SA1313-YTE85LF
2SA1313YTE85LF
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2SA1313-Y,LF
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Sự miêu tả:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 100mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận