2SC3356-T1B-R25-A - CEL - Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF 2SC3356-T1B-R25-A

2SC3356-T1B-R25-A

Số Phần:: 2SC3356-T1B-R25-A

nhà chế tạo:: CEL (California Eastern Laboratories)

Sự miêu tả:: SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 18805 Pieces

Bảng dữliệu:: 2SC3356-T1B-R25-A.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SC3356-T1B-R25-A, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SC3356-T1B-R25-A qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua 2SC3356-T1B-R25-A với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	12V
Loại bóng bán dẫn:	NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SOT-23-3
Loạt:	-
Power - Max:	200mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	2SC3356-T1B-R25-A
Lợi:	11.5dB
Tần số - Transition:	7GHz
Mô tả mở rộng:	RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Sự miêu tả:	SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	50 @ 20mA, 10V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho 2SC3356-T1B-R25-A

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
2SC3356-T1B-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Tin nhắn của bạn
2SC3357-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-89	Tin nhắn của bạn
2SC3356-T1B-R24-A	CEL	SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL	Tin nhắn của bạn
2SC3357-T1-RF-A	CEL	SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI	Tin nhắn của bạn
2SC3356-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-23	Tin nhắn của bạn
NE67839-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	Tin nhắn của bạn
2SC3357-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-89	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức