2SD1060R-1EX
2SD1060R-1EX
Số Phần:
2SD1060R-1EX
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 50V 5A
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15059 Pieces
Bảng dữliệu:
2SD1060R-1EX.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SD1060R-1EX, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SD1060R-1EX qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SD1060R-1EX với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 300mA, 3A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220-3
Loạt:-
Power - Max:1.75W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2SD1060R-1EX
Tần số - Transition:30MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 50V 5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 1A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100µA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận