2SD1949T106R
2SD1949T106R
Số Phần:
2SD1949T106R
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12763 Pieces
Bảng dữliệu:
2SD1949T106R.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SD1949T106R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SD1949T106R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SD1949T106R với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 15mA, 150mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:UMT3
Loạt:-
Power - Max:200mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:2SD1949T106R-ND
2SD1949T106RTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2SD1949T106R
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Sự miêu tả:TRANS NPN 50V 0.5A SOT-323
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:180 @ 10mA, 3V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận