2SD2695,T6F(J
2SD2695,T6F(J
Số Phần:
2SD2695,T6F(J
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18979 Pieces
Bảng dữliệu:
2SD2695,T6F(J.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SD2695,T6F(J, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SD2695,T6F(J qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SD2695,T6F(J với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):60V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 1mA, 1A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92MOD
Loạt:-
Power - Max:900mW
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Vài cái tên khác:2SD2695T6F(J
2SD2695T6FJ
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2SD2695,T6F(J
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Sự miêu tả:TRANS NPN 2A 60V TO226-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:2000 @ 1A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận