2SK3309(Q)
Số Phần:
2SK3309(Q)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12942 Pieces
Bảng dữliệu:
1.2SK3309(Q).pdf2.2SK3309(Q).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SK3309(Q), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SK3309(Q) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SK3309(Q) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220FL
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:650 mOhm @ 5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):65W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3, Short Tab
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:2SK3309(Q)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 450V 10A (Ta) 65W (Tc) Through Hole TO-220FL
Xả để nguồn điện áp (Vdss):450V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận