2SK3666-2-TB-E - ON Semiconductor - Transitor - JFETs 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Số Phần:: 2SK3666-2-TB-E

nhà chế tạo:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Sự miêu tả:: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 19195 Pieces

Bảng dữliệu:: 2SK3666-2-TB-E.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SK3666-2-TB-E, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SK3666-2-TB-E qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua 2SK3666-2-TB-E với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id:	180mV @ 1µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:	3-CP
Loạt:	-
Kháng - RDS (On):	200 Ohm
Power - Max:	200mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:	2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	2SK3666-2-TB-E
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 10V
Loại FET:	N-Channel
Mô tả mở rộng:	JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
Xả để nguồn điện áp (Vdss):	30V
Sự miêu tả:	JFET NCH 30V 200MW 3CP
Xả hiện tại (Id) - Max:	10mA
Hiện tại - Xả (IDS) @ VDS (VGS = 0):	600µA @ 10V
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho 2SK3666-2-TB-E

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
2SK3666-4-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 0.2W CP	Tin nhắn của bạn
2N5545JTX01	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO-71	Tin nhắn của bạn
2SK3666-3-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	Tin nhắn của bạn
TF202THC-3-TL-H	ON Semiconductor	JFET N-CH 1MA 100MW VTFP	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức