2SK880-Y(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transitor - JFETs 2SK880-Y(TE85L,F)

2SK880-Y(TE85L,F)

Số Phần:: 2SK880-Y(TE85L,F)

nhà chế tạo:: Toshiba Semiconductor

Sự miêu tả:: JFET N-CH 50V 0.1W USM

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 12615 Pieces

Bảng dữliệu:: 2SK880-Y(TE85L,F).pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SK880-Y(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SK880-Y(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua 2SK880-Y(TE85L,F) với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id:	1.5V @ 100nA
Voltage - Breakdown (V (BR) GSS):	50V
Gói thiết bị nhà cung cấp:	USM
Loạt:	-
Kháng - RDS (On):	-
Power - Max:	100mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:	2SK880-Y (TE85L,F) 2SK880-Y(TE85LF)TR 2SK880-YTE85LF
Nhiệt độ hoạt động:	125°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	2SK880-Y(TE85L,F)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:	13pF @ 10V
Loại FET:	N-Channel
Mô tả mở rộng:	JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount USM
Xả để nguồn điện áp (Vdss):	-
Sự miêu tả:	JFET N-CH 50V 0.1W USM
Hiện tại - Xả (IDS) @ VDS (VGS = 0):	1.2mA @ 10V
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho 2SK880-Y(TE85L,F)

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
2SK880-BL(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	Tin nhắn của bạn
2SK880GRTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V 0.1W USM	Tin nhắn của bạn
2N5114	Vishay Siliconix	JFET P-CH 30V TO-206AA	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức