2V7002WT1G
2V7002WT1G
Số Phần:
2V7002WT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19771 Pieces
Bảng dữliệu:
2V7002WT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2V7002WT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2V7002WT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2V7002WT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-3 (SOT323)
Loạt:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):280mW (Tj)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:2V7002WT1G-ND
2V7002WT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:28 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2V7002WT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:24.5pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:310mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận