Mua A2I08H040GNR1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
A2I08H040GNR1
- Số Phần:
- A2I08H040GNR1
- nhà chế tạo:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Sự miêu tả:
- IC RF LDMOS AMP
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 18222 Pieces
- Bảng dữliệu:
- A2I08H040GNR1.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho A2I08H040GNR1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho A2I08H040GNR1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Điện áp - Kiểm tra: | 28V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng: | 65V |
| Loại bóng bán dẫn: | LDMOS (Dual) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-270WBG-15 |
| Loạt: | - |
| Power - Output: | 9W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Vài cái tên khác: | 935320823528 |
| tiếng ồn Hình: | - |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | A2I08H040GNR1 |
| Lợi: | 30.7dB |
| Tần số: | 920MHz |
| Mô tả mở rộng: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Sự miêu tả: | IC RF LDMOS AMP |
| Đánh giá hiện tại: | - |
| Hiện tại - Kiểm tra: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho A2I08H040GNR1
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Tin nhắn của bạn |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Tin nhắn của bạn |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Tin nhắn của bạn |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Tin nhắn của bạn |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Tin nhắn của bạn |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Tin nhắn của bạn |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Tin nhắn của bạn |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog