A2T09VD250NR1 - NXP USA Inc. - Transistors - FETs, MOSFETs - RF A2T09VD250NR1

A2T09VD250NR1

Số Phần:: A2T09VD250NR1

nhà chế tạo:: NXP Semiconductors / Freescale

Sự miêu tả:: IC TRANS RF LDMOS

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 13541 Pieces

Bảng dữliệu:: A2T09VD250NR1.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho A2T09VD250NR1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho A2T09VD250NR1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua A2T09VD250NR1 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	48V
Voltage - Xếp hạng:	105V
Loại bóng bán dẫn:	LDMOS (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	TO-270WB-6A
Loạt:	-
Power - Output:	65W
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	TO-270-6 Variant, Flat Leads
Vài cái tên khác:	935320819528
tiếng ồn Hình:	-
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	A2T09VD250NR1
Lợi:	22.5dB
Tần số:	920MHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 1A 920MHz 22.5dB 65W TO-270WB-6A
Sự miêu tả:	IC TRANS RF LDMOS
Đánh giá hiện tại:	-
Hiện tại - Kiểm tra:	1A
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho A2T09VD250NR1

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
BLL8H0514LS-130U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B	Tin nhắn của bạn
PTFB183404FV2R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Tin nhắn của bạn
A2T09VD300NR1	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	Tin nhắn của bạn
MWT-A973	Microwave Technology Inc.	FET RF 5V 18GHZ PKG 73	Tin nhắn của bạn
BLF6G22-180RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A	Tin nhắn của bạn
CGHV27200F	Cree/Wolfspeed	FET RF 50V 2.7GHZ 440162	Tin nhắn của bạn
BLF640U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức