Mua A2T26H165-24SR3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
A2T26H165-24SR3
- Số Phần:
- A2T26H165-24SR3
- nhà chế tạo:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Sự miêu tả:
- IC TRANS RF LDMOS
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 16837 Pieces
- Bảng dữliệu:
- A2T26H165-24SR3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho A2T26H165-24SR3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho A2T26H165-24SR3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Điện áp - Kiểm tra: | 28V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng: | 65V |
| Loại bóng bán dẫn: | LDMOS (Dual) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | NI-780S-4L2L |
| Loạt: | - |
| Power - Output: | 32W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | NI-780S-4L2L |
| Vài cái tên khác: | 935313041128 |
| tiếng ồn Hình: | - |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | A2T26H165-24SR3 |
| Lợi: | 14.7dB |
| Tần số: | 2.5GHz |
| Mô tả mở rộng: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.5GHz 14.7dB 32W NI-780S-4L2L |
| Sự miêu tả: | IC TRANS RF LDMOS |
| Đánh giá hiện tại: | - |
| Hiện tại - Kiểm tra: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho A2T26H165-24SR3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
A2T26H160-24SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.58GHZ | Tin nhắn của bạn |
 |
PTFB192503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Tin nhắn của bạn |
 |
NE5550779A-T1-A | CEL | FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG | Tin nhắn của bạn |
|
GTVA261701FAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Tin nhắn của bạn |
|
A2I25H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Tin nhắn của bạn |
 |
MRF5S21130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Tin nhắn của bạn |
|
A2T26H300-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Tin nhắn của bạn |
 |
BF1201WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | Tin nhắn của bạn |
 |
MRF8S23120HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 | Tin nhắn của bạn |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Tin nhắn của bạn |
|
MRF7S38075HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S | Tin nhắn của bạn |
|
NE34018-64-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF7G20LS-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog