Mua AFT18S260W31GSR3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
AFT18S260W31GSR3
- Số Phần:
- AFT18S260W31GSR3
- nhà chế tạo:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Sự miêu tả:
- IC TRANS RF LDMOS
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 13271 Pieces
- Bảng dữliệu:
- 1.AFT18S260W31GSR3.pdf2.AFT18S260W31GSR3.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho AFT18S260W31GSR3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho AFT18S260W31GSR3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Điện áp - Kiểm tra: | 28V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng: | 65V |
| Loại bóng bán dẫn: | LDMOS |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | NI-780GS-2L2LA |
| Loạt: | - |
| Power - Output: | 50W |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | NI-780GS-2L2LA |
| Vài cái tên khác: | 935312554128 |
| tiếng ồn Hình: | - |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | AFT18S260W31GSR3 |
| Lợi: | 19.6dB |
| Tần số: | 1.88GHz |
| Mô tả mở rộng: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.8A 1.88GHz 19.6dB 50W NI-780GS-2L2LA |
| Sự miêu tả: | IC TRANS RF LDMOS |
| Đánh giá hiện tại: | - |
| Hiện tại - Kiểm tra: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho AFT18S260W31GSR3
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT18S260W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18H356-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18H357-24NR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | Tin nhắn của bạn |
 |
AFT18HW355SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18S230-12NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18H357-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 | Tin nhắn của bạn |
|
AFT18P350-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog