APT28M120B2
APT28M120B2
Số Phần:
APT28M120B2
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15088 Pieces
Bảng dữliệu:
1.APT28M120B2.pdf2.APT28M120B2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APT28M120B2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APT28M120B2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APT28M120B2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:T-MAX™ [B2]
Loạt:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, VGS:560 mOhm @ 14A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1135W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3 Variant
Vài cái tên khác:APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:APT28M120B2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:9670pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1200V (1.2kV) 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận