APT56M50B2
APT56M50B2
Số Phần:
APT56M50B2
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16245 Pieces
Bảng dữliệu:
1.APT56M50B2.pdf2.APT56M50B2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho APT56M50B2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho APT56M50B2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua APT56M50B2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:T-MAX™
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 28A, 10V
Điện cực phân tán (Max):780W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3 Variant
Vài cái tên khác:APT56M50B2MI
APT56M50B2MI-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:APT56M50B2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:8800pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 500V 56A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™
Xả để nguồn điện áp (Vdss):500V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận