AUIRFR1018E
Số Phần:
AUIRFR1018E
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17229 Pieces
Bảng dữliệu:
AUIRFR1018E.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho AUIRFR1018E, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho AUIRFR1018E qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua AUIRFR1018E với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.4 mOhm @ 47A, 10V
Điện cực phân tán (Max):110W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:SP001522694
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:AUIRFR1018E
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận