BAS19LT1G
BAS19LT1G
Số Phần:
BAS19LT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19356 Pieces
Bảng dữliệu:
BAS19LT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BAS19LT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BAS19LT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BAS19LT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.25V @ 200mA
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):120V
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Tốc độ:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):50ns
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BAS19LT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BAS19LT1G
Mô tả mở rộng:Diode Standard 120V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:100nA @ 100V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):200mA (DC)
Dung @ VR, F:5pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận