BC373RL1G
Số Phần:
BC373RL1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12736 Pieces
Bảng dữliệu:
BC373RL1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BC373RL1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BC373RL1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BC373RL1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.1V @ 250µA, 250mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Power - Max:625mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vài cái tên khác:BC373RL1G-ND
BC373RL1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BC373RL1G
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:10000 @ 100mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận