BC618RL1G
Số Phần:
BC618RL1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18484 Pieces
Bảng dữliệu:
BC618RL1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BC618RL1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BC618RL1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BC618RL1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):55V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.1V @ 200µA, 200mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-92-3
Loạt:-
Power - Max:625mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BC618RL1G
Tần số - Transition:150MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 55V 1A 150MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:10000 @ 200mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận