BCR162E6327HTSA1
Số Phần:
BCR162E6327HTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15093 Pieces
Bảng dữliệu:
BCR162E6327HTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BCR162E6327HTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BCR162E6327HTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BCR162E6327HTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT23-3
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:200mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BCR 162 E6327
BCR 162 E6327-ND
BCR162E6327HTSA1TR-NDTR-ND
BCR162E6327XT
SP000010785
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BCR162E6327HTSA1
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:20 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận