BCR562E6327HTSA1
Số Phần:
BCR562E6327HTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18556 Pieces
Bảng dữliệu:
BCR562E6327HTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BCR562E6327HTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BCR562E6327HTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BCR562E6327HTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT23-3
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:330mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BCR 562 E6327
BCR 562 E6327-ND
BCR 562 E6327TR-ND
BCR562E6327
BCR562E6327BTSA1
BCR562E6327XT
SP000010859
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BCR562E6327HTSA1
Tần số - Transition:150MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận