BD139G
BD139G
Số Phần:
BD139G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17347 Pieces
Bảng dữliệu:
BD139G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BD139G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BD139G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BD139G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-225AA
Loạt:-
Power - Max:1.25W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-225AA, TO-126-3
Vài cái tên khác:BD139GOS
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BD139G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
Sự miêu tả:TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 150mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):1.5A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận