BD6563FV-LBE2
Số Phần:
BD6563FV-LBE2
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13227 Pieces
Bảng dữliệu:
BD6563FV-LBE2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BD6563FV-LBE2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BD6563FV-LBE2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BD6563FV-LBE2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Cung cấp:10 V ~ 25 V
Gói thiết bị nhà cung cấp:16-SSOPB
Loạt:-
Tăng / giảm thời gian (Typ):-
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vài cái tên khác:BD6563FV-LBE2TR
Nhiệt độ hoạt động:-25°C ~ 150°C (TJ)
Tần số vào:3
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BD6563FV-LBE2
Điện thế logic - VIL, VIH:-
Kiểu đầu vào:Non-Inverting
Loại cổng:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Mô tả mở rộng:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SSOPB
Cấu hình Driven:Low-Side
Sự miêu tả:IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP
Hiện tại - Peak Output (Nguồn, Sink):600mA, 600mA
Base-Emitter Saturation Voltage (Max):Independent
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận