BDV65B
Số Phần:
BDV65B
nhà chế tạo:
Central Semiconductor
Sự miêu tả:
POWER TRANSISTOR NPN TO218
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
19869 Pieces
Bảng dữliệu:
BDV65B.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BDV65B, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BDV65B qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BDV65B với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):100V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:-
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-218
Loạt:-
Power - Max:125W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-218-3
Vài cái tên khác:BDV65BCS
Nhiệt độ hoạt động:-
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BDV65B
Tần số - Transition:60MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
Sự miêu tả:POWER TRANSISTOR NPN TO218
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:1000 @ 5A, 4V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):12A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận