Mua BG3130RH6327XTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
BG3130RH6327XTSA1
- Số Phần:
- BG3130RH6327XTSA1
- nhà chế tạo:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 15650 Pieces
- Bảng dữliệu:
- BG3130RH6327XTSA1.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho BG3130RH6327XTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BG3130RH6327XTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Điện áp - Kiểm tra: | 5V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng: | 8V |
| Loại bóng bán dẫn: | 2 N-Channel (Dual) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | PG-SOT363-6 |
| Loạt: | - |
| Power - Output: | - |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vài cái tên khác: | BG 3130R H6327 BG 3130R H6327-ND SP000753496 |
| tiếng ồn Hình: | 1.3dB |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | BG3130RH6327XTSA1 |
| Lợi: | 24dB |
| Tần số: | 800MHz |
| Mô tả mở rộng: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6 |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| Đánh giá hiện tại: | 25mA |
| Hiện tại - Kiểm tra: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho BG3130RH6327XTSA1
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | Tin nhắn của bạn |
|
BG3130RE6327BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | Tin nhắn của bạn |
 |
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | Tin nhắn của bạn |
 |
CGHV35060MP | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP | Tin nhắn của bạn |
|
BG3130E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | Tin nhắn của bạn |
 |
PD85025C | STMicroelectronics | FET RF 40V 945MHZ M243 | Tin nhắn của bạn |
 |
MRF5S19100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF8G20LS-220U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | Tin nhắn của bạn |
|
MRF21030LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF6G15L-250PBRN,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A | Tin nhắn của bạn |
 |
MAGX-001090-600L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 600W | Tin nhắn của bạn |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog