BGB 540 E6327 - Infineon Technologies - Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

Số Phần:: BGB 540 E6327

nhà chế tạo:: International Rectifier (Infineon Technologies)

Sự miêu tả:: TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 12994 Pieces

Bảng dữliệu:: BGB 540 E6327.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BGB 540 E6327, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BGB 540 E6327 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua BGB 540 E6327 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	3.5V
Loại bóng bán dẫn:	NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:	PG-SOT343-4
Loạt:	-
Power - Max:	120mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-82A, SOT-343
Vài cái tên khác:	BGB540E6327XT SP000013194
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	BGB 540 E6327
Lợi:	16dB ~ 17.5dB
Tần số - Transition:	-
Mô tả mở rộng:	RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
Sự miêu tả:	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	30mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho BGB 540 E6327

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
UTV200	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2	Tin nhắn của bạn
AT-41535G	Broadcom Limited	TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X	Tin nhắn của bạn
AT-30511-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143	Tin nhắn của bạn
MS1512	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M122	Tin nhắn của bạn
2SC5006-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức