Mua BLA6G1011LS-200RG, với BYCHPS
Mua với đảm bảo
BLA6G1011LS-200RG,
- Số Phần:
- BLA6G1011LS-200RG,
- nhà chế tạo:
- Ampleon
- Sự miêu tả:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 16446 Pieces
- Bảng dữliệu:
- BLA6G1011LS-200RG,.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho BLA6G1011LS-200RG,, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BLA6G1011LS-200RG, qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Điện áp - Kiểm tra: | 28V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng: | 65V |
| Loại bóng bán dẫn: | LDMOS |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | LDMOST |
| Loạt: | - |
| Power - Output: | 200W |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | SOT-502C |
| Vài cái tên khác: | 568-8531 934065673112 BLA6G1011LS-200RG,-ND BLA6G1011LS-200RG,112 BLA6G1011LS-200RG,112-ND BLA6G1011LS200RG112 |
| tiếng ồn Hình: | - |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 13 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | BLA6G1011LS-200RG, |
| Lợi: | 20dB |
| Tần số: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Mô tả mở rộng: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
| Sự miêu tả: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C |
| Đánh giá hiện tại: | 49A |
| Hiện tại - Kiểm tra: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho BLA6G1011LS-200RG,
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
BF245B_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLA6G1011-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | Tin nhắn của bạn |
 |
MMRF1012NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 220MHZ | Tin nhắn của bạn |
 |
BLP7G07S-140PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 | Tin nhắn của bạn |
 |
MMRF1306HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLM7G1822S-40PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF6G27LS-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502B | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF8G24L-200P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | Tin nhắn của bạn |
 |
ON5173,118 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT404 D2PAK | Tin nhắn của bạn |
 |
CGH60120D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Tin nhắn của bạn |
 |
BLA6G1011L-200RG,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | Tin nhắn của bạn |
 |
BLC8G24LS-241AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog