BLM8G0710S-60PBY - Ampleon USA Inc. - Transistors - FETs, MOSFETs - RF BLM8G0710S-60PBY

BLM8G0710S-60PBY

Số Phần:: BLM8G0710S-60PBY

nhà chế tạo:: Ampleon

Sự miêu tả:: RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Chì miễn phí / miễn tuân thủ theo miễn thuế

Số lượng có sẵn:: 12996 Pieces

Bảng dữliệu:: BLM8G0710S-60PBY.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BLM8G0710S-60PBY, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BLM8G0710S-60PBY qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua BLM8G0710S-60PBY với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	28V
Voltage - Xếp hạng:	65V
Loại bóng bán dẫn:	LDMOS (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	16-HSOPF
Loạt:	-
Power - Output:	6W
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SOT-1211-2
Vài cái tên khác:	934069667518 BLM8G0710S-60PBY-ND
tiếng ồn Hình:	-
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	13 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	BLM8G0710S-60PBY
Lợi:	36.2dB
Tần số:	957.5MHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 60mA 957.5MHz 36.2dB 6W 16-HSOPF
Sự miêu tả:	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
Đánh giá hiện tại:	-
Hiện tại - Kiểm tra:	60mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho BLM8G0710S-60PBY

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
BLM8G0710S-15PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112	Tin nhắn của bạn
BLM8G0710S-45ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	Tin nhắn của bạn
BLM8G0710S-45ABGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122	Tin nhắn của bạn
BLM8G0710S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122	Tin nhắn của bạn
BLM8G0710S-15PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122	Tin nhắn của bạn
BLM8G0710S-30PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức