BSC009NE2LS5IATMA1
BSC009NE2LS5IATMA1
Số Phần:
BSC009NE2LS5IATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16674 Pieces
Bảng dữliệu:
BSC009NE2LS5IATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSC009NE2LS5IATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSC009NE2LS5IATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSC009NE2LS5IATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TDSON-8
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:0.95 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 74W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:BSC009NE2LS5IATMA1-ND
BSC009NE2LS5IATMA1TR
SP001212434
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSC009NE2LS5IATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:40A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận