BSC030N04NSGATMA1
BSC030N04NSGATMA1
Số Phần:
BSC030N04NSGATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16701 Pieces
Bảng dữliệu:
BSC030N04NSGATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSC030N04NSGATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSC030N04NSGATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSC030N04NSGATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 49µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TDSON-8
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:3 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 83W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:BSC030N04NS G
BSC030N04NS G-ND
BSC030N04NS GTR
BSC030N04NS GTR-ND
BSC030N04NSG
SP000354811
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSC030N04NSGATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:61nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:23A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận