BSC109N10NS3GATMA1
BSC109N10NS3GATMA1
Số Phần:
BSC109N10NS3GATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12950 Pieces
Bảng dữliệu:
BSC109N10NS3GATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSC109N10NS3GATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSC109N10NS3GATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSC109N10NS3GATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 45µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TDSON-8
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:10.9 mOhm @ 46A, 10V
Điện cực phân tán (Max):78W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:BSC109N10NS3 G
BSC109N10NS3 G-ND
BSC109N10NS3 GTR-ND
BSC109N10NS3G
SP000778132
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSC109N10NS3GATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:63A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận