BSO083N03MSGXUMA1
BSO083N03MSGXUMA1
Số Phần:
BSO083N03MSGXUMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18899 Pieces
Bảng dữliệu:
BSO083N03MSGXUMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSO083N03MSGXUMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSO083N03MSGXUMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSO083N03MSGXUMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-DSO-8
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.3 mOhm @ 14A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.56W (Ta)
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Số phần của nhà sản xuất:BSO083N03MSGXUMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 11A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận