Mua BSP135H6327XTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
BSP135H6327XTSA1
- Số Phần:
- BSP135H6327XTSA1
- nhà chế tạo:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 17606 Pieces
- Bảng dữliệu:
- BSP135H6327XTSA1.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho BSP135H6327XTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSP135H6327XTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 94µA |
|---|---|
| Vgs (Tối đa): | ±20V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | SOT-223-4 |
| Loạt: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 1.8W (Ta) |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
| Vài cái tên khác: | BSP135H6327XTSA1TR SP001058812 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | BSP135H6327XTSA1 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 146pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.9nC @ 5V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | Depletion Mode |
| Mô tả mở rộng: | N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 600V |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho BSP135H6327XTSA1
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
FQP5N20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220 | Tin nhắn của bạn |
 |
BSP135L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | Tin nhắn của bạn |
 |
BSO201SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
BSP135 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | Tin nhắn của bạn |
|
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | Tin nhắn của bạn |
|
BSP135L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | Tin nhắn của bạn |
 |
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | Tin nhắn của bạn |
 |
ZVN0545ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3 | Tin nhắn của bạn |
|
BSP135 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | Tin nhắn của bạn |
 |
TK17E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 | Tin nhắn của bạn |
|
BSP135L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog