BSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1
Số Phần:
BSP135H6327XTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17606 Pieces
Bảng dữliệu:
BSP135H6327XTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSP135H6327XTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSP135H6327XTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSP135H6327XTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 94µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223-4
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:45 Ohm @ 120mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:BSP135H6327XTSA1TR
SP001058812
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSP135H6327XTSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:146pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Depletion Mode
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):-
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:120mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận