BSP322PL6327HTSA1
BSP322PL6327HTSA1
Số Phần:
BSP322PL6327HTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12962 Pieces
Bảng dữliệu:
BSP322PL6327HTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSP322PL6327HTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSP322PL6327HTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSP322PL6327HTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 380µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT223-4
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BSP322PL6327HTSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:372pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16.5nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận