BSS119E6327
Số Phần:
BSS119E6327
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16827 Pieces
Bảng dữliệu:
BSS119E6327.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSS119E6327, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSS119E6327 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSS119E6327 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 50µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT23-3
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 170mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):360mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BSS119
BSS119E6327XT
BSS119INTR
BSS119XTINTR
BSS119XTINTR-ND
SP000011161
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BSS119E6327
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:78pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận