BSS316N H6327
Số Phần:
BSS316N H6327
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19255 Pieces
Bảng dữliệu:
BSS316N H6327.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSS316N H6327, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSS316N H6327 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSS316N H6327 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 3.7µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT23-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:160 mOhm @ 1.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):500mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BSS316N H6327-ND
BSS316NH6327
BSS316NH6327XTSA1
SP000928948
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSS316N H6327
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:94pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:0.6nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận