BSS87H6327FTSA1
BSS87H6327FTSA1
Số Phần:
BSS87H6327FTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17108 Pieces
Bảng dữliệu:
BSS87H6327FTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSS87H6327FTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSS87H6327FTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSS87H6327FTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 108µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT89-4-2
Loạt:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 260mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):1W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-243AA
Vài cái tên khác:BSS87H6327FTSA1-ND
BSS87H6327FTSA1TR
SP001047646
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSS87H6327FTSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:97pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:5.5nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 240V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):240V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:260mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận