BSV52LT1G
BSV52LT1G
Số Phần:
BSV52LT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16852 Pieces
Bảng dữliệu:
BSV52LT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSV52LT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSV52LT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSV52LT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):12V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:225mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BSV52LT1G-ND
BSV52LT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSV52LT1G
Tần số - Transition:400MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 100mA 400MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 10mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận