BSZ033NE2LS5ATMA1
BSZ033NE2LS5ATMA1
Số Phần:
BSZ033NE2LS5ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13723 Pieces
Bảng dữliệu:
BSZ033NE2LS5ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSZ033NE2LS5ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSZ033NE2LS5ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSZ033NE2LS5ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TSDSON-8-FL
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.3 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.1W (Ta), 30W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:SP001288158
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSZ033NE2LS5ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 12V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:18.3nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:18A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận