BSZ040N04LSGATMA1
BSZ040N04LSGATMA1
Số Phần:
BSZ040N04LSGATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14906 Pieces
Bảng dữliệu:
BSZ040N04LSGATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSZ040N04LSGATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSZ040N04LSGATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSZ040N04LSGATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 36µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TSDSON-8
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 20A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.1W (Ta), 69W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:BSZ040N04LS G
BSZ040N04LSG
BSZ040N04LSGATMA1TR
BSZ040N04LSGINTR
BSZ040N04LSGINTR-ND
BSZ040N04LSGXT
SP000388295
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSZ040N04LSGATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5100pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:64nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:18A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận