BU323ZG
BU323ZG
Số Phần:
BU323ZG
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 350V 10A TO247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19688 Pieces
Bảng dữliệu:
BU323ZG.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BU323ZG, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BU323ZG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BU323ZG với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.7V @ 250mA, 10A
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247
Loạt:-
Power - Max:150W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:BU323ZG-ND
BU323ZGOS
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BU323ZG
Tần số - Transition:2MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Through Hole TO-247
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 350V 10A TO247
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:500 @ 5A, 4.6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):10A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận