BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
Số Phần:
BUK652R0-30C,127
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
12525 Pieces
Bảng dữliệu:
BUK652R0-30C,127.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BUK652R0-30C,127, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BUK652R0-30C,127 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BUK652R0-30C,127 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220AB
Loạt:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.2 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):306W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:568-7490-5
934064466127
BUK652R0-30C,127-ND
BUK652R030C127
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BUK652R0-30C,127
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:14964pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:229nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận