BUK9E3R2-40E,127
BUK9E3R2-40E,127
Số Phần:
BUK9E3R2-40E,127
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17822 Pieces
Bảng dữliệu:
BUK9E3R2-40E,127.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BUK9E3R2-40E,127, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BUK9E3R2-40E,127 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BUK9E3R2-40E,127 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:I2PAK
Loạt:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.8 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):234W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:568-9873-5
934066414127
BUK9E3R240E127
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BUK9E3R2-40E,127
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:9150pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:69.5nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 40V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận