BUK9Y58-75B,115
BUK9Y58-75B,115
Số Phần:
BUK9Y58-75B,115
nhà chế tạo:
Nexperia
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19837 Pieces
Bảng dữliệu:
BUK9Y58-75B,115.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BUK9Y58-75B,115, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BUK9Y58-75B,115 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BUK9Y58-75B,115 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.15V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±15V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:LFPAK56, Power-SO8
Loạt:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:53 mOhm @ 10A, 10V
Điện cực phân tán (Max):60.4W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-100, SOT-669
Vài cái tên khác:1727-4617-2
568-5529-2
568-5529-2-ND
934063306115
BUK9Y5875B115
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:BUK9Y58-75B,115
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1137pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10.7nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 75V 20.73A (Tc) 60.4W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):75V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:20.73A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận