BVSS123LT1G
BVSS123LT1G
Số Phần:
BVSS123LT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14886 Pieces
Bảng dữliệu:
BVSS123LT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BVSS123LT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BVSS123LT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BVSS123LT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 100mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):225mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:20 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BVSS123LT1G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận