C4D02120E-TR
C4D02120E-TR
Số Phần:
C4D02120E-TR
nhà chế tạo:
Cree
Sự miêu tả:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17266 Pieces
Bảng dữliệu:
C4D02120E-TR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho C4D02120E-TR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho C4D02120E-TR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua C4D02120E-TR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.8V @ 2A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):1200V (1.2kV)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252-2
Tốc độ:No Recovery Time > 500mA (Io)
Loạt:Z-Rec®
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):0ns
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 175°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:5 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:C4D02120E-TR
Mô tả mở rộng:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9A Surface Mount TO-252-2
Loại diode:Silicon Carbide Schottky
Sự miêu tả:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:50µA @ 1200V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):9A
Dung @ VR, F:167pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận