CIG21W4R7MNE
CIG21W4R7MNE
Số Phần:
CIG21W4R7MNE
nhà chế tạo:
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Sự miêu tả:
FIXED IND 4.7UH 650MA 300 MOHM
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18689 Pieces
Bảng dữliệu:
1.CIG21W4R7MNE.pdf2.CIG21W4R7MNE.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho CIG21W4R7MNE, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CIG21W4R7MNE qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CIG21W4R7MNE với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Kiểu:Multilayer
Lòng khoan dung:±20%
Size / Kích thước:0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
che chắn:Shielded
Loạt:CIG21W
xếp hạng:-
Q @ Freq:-
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:0805 (2012 Metric)
Vài cái tên khác:1276-6198-2
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 125°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Vật liệu - Core:-
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:CIG21W4R7MNE
cảm:4.7µH
Tần số - Kiểm tra:1MHz
Tần số - Tự Resonant:-
Mô tả mở rộng:4.7µH Shielded Multilayer Inductor 650mA 300 mOhm 0805 (2012 Metric)
Sự miêu tả:FIXED IND 4.7UH 650MA 300 MOHM
DC Resistance (DCR):300 mOhm
Đánh giá hiện tại:650mA
Hiện tại - Saturation:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận